类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：80A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值为6.8mΩ）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热

SISH85-R68 具备多项卓越的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下，MOSFET的导通损耗最小化，从而提高整体系统效率。该器件的最大Rds(on)为8.5mΩ，在同类产品中具有竞争力，适用于高功率密度设计。
　　其次，SISH85-R68采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供优异的开关性能，减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频操作环境。栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担，提高整体系统效率。
　　此外，该MOSFET采用PowerPAK SO-8封装，具备双侧散热能力，有效提升散热效率。这种封装形式不仅节省空间，还增强了热管理能力，使其适用于紧凑型电子设备和高可靠性应用场景。
　　该器件的漏极电流额定值为80A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率输出的电源管理模块。同时，其漏极-源极击穿电压为60V，使其在中高压电源系统中具备良好的稳定性。
　　SISH85-R68的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化、汽车电子和通信设备等。

SISH85-R68 适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统和电源分配单元。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统的电源管理模块。在工业自动化领域，该器件适用于PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器中的高效率电源转换电路。此外，在通信设备中，SISH85-R68可用于电源模块和负载开关，提供稳定的功率输出和高效的能量管理。

SiS880NADN-T1-GE3, SUD80N06-10L, FDS8877C, AO4407A