IR2110E4 时间：2025/5/14 18:52:22 阅读：2

IR2110E4是一款高性能的高压浮置栅极驱动芯片，专为需要高侧和低侧驱动的功率MOSFET或IGBT设计。该芯片具有独立的高端和低端输出通道，可广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器等场景。它采用DIP-8封装形式，支持高达600V的工作电压，并提供自举电容充电电路以简化设计。

参数

工作电压：10V 至 20V
　　最大耐压：600V
　　传播延迟：50ns
　　输入门槛电压：3.5V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出电流：峰值源电流3A，峰值灌电流-6A

特性

IR2110E4具备以下主要特点：
　　1. 高压浮置通道，能够驱动与地隔离的高侧功率开关。
　　2. 内置自举二极管，方便使用外部自举电容供电给高侧驱动。
　　3. 独立的高低端输入引脚，兼容各种PWM信号输入模式。
　　4. 较低的传输延时确保快速切换，减少开关损耗。
　　5. 提供欠压锁定保护功能（UVLO），增强系统可靠性。
　　6. 能够承受较高的dv/dt瞬态冲击，适合高频应用环境。
　　7. 封装形式紧凑，便于PCB布局设计。

应用

IR2110E4适用于多种电力电子领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的半桥或全桥拓扑结构。
　　2. 直流-直流转换器和直流-交流逆变器。
　　3. 电机驱动和控制系统中的功率级驱动。
　　4. 各类工业自动化设备中的功率模块控制。
　　5. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品中的功率转换部分。