BUK9611-80E 时间：2025/9/14 16:46:18 阅读：13

BUK9611-80E 是一款由 NXP Semiconductors 生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的 TrenchMOS 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频率下工作，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：140 A
　　导通电阻 Rds(on) @4.5V：3.7 mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @2.5V：5.2 mΩ
　　功耗（Ptot）：250 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

BUK9611-80E 采用了 NXP 的高性能 TrenchMOS 技术，使其具备非常低的导通电阻，在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 3.7 mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如 2.5V）下，其导通电阻也仅为 5.2 mΩ，使其适用于低电压控制电路。
　　此外，该 MOSFET 具有高达 140A 的连续漏极电流能力，适用于高功率密度设计。其 250W 的高功耗能力配合 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，不仅提高了散热效率，还便于 PCB 安装与自动化生产。
　　该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力开关条件下的可靠性。其栅极设计支持快速开关，降低了开关损耗，并减少了电磁干扰（EMI）。BUK9611-80E 在高温环境下仍能保持稳定性能，工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，非常适合工业级和汽车级应用。

应用

BUK9611-80E 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它用于主开关或同步整流器，能够有效降低导通损耗并提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为高侧或低侧开关，尤其适合用于高电流输出的设计，如服务器电源、通信设备电源模块等。
　　在电机驱动和负载开关应用中，BUK9611-80E 的高电流能力和低导通电阻特性可显著减少功率损耗，提高系统稳定性。它还适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，具备良好的耐久性和可靠性。
　　此外，由于其良好的热性能和高频工作能力，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动水泵控制电路等。