时间：2025/7/16 18:51:05
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IQE013N04LM6CG是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET），用于高效率、高频电力电子应用。这款器件集成了一个常关（normally-off）的GaN HEMT和一个驱动器IC，实现了更高的集成度和更简便的设计。它属于英飞凌的CoolGaN?系列产品线，专门设计用于满足高功率密度和高能效的要求。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压(VDS)：400V
连续漏极电流(ID)：13A
导通电阻(RDS(on))：典型值为280mΩ
封装类型：表面贴装（SMD），尺寸为6mm x 5mm
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极电荷(Qg)：低至典型值9nC
短路耐受能力：支持
驱动方式：内置驱动IC
IQE013N04LM6CG具有多项先进的性能特点。其基于氮化镓材料的HEMT结构提供了极低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关速度，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件内部集成了一个专用的驱动IC，有助于简化外部驱动电路的设计并提高系统的可靠性。
由于采用了增强型（常关）设计，该器件在正常工作状态下需要正向栅极电压来导通，这与传统的硅基MOSFET相似，便于工程师进行设计和替换。这种特性也提升了系统的安全性，因为断电时器件会自动关闭，避免了意外的导通情况。
值得一提的是，CoolGaN?技术的采用使该器件能够在更高频率下运行，从而减少外部无源元件的体积和重量，降低整体系统成本。
IQE013N04LM6CG广泛应用于需要高效能和高功率密度的现代电力电子系统中。常见用途包括数据中心服务器电源、AC/DC适配器、无线充电设备、光伏逆变器以及工业电机驱动器。此外，该器件也非常适合用于高频谐振转换器（如LLC和CLLC拓扑）、车载充电器（OBC）以及消费类电子产品中的功率转换模块。
GS66508P, EPC2045, LMG5200
