类型：双向TVS二极管阵列
　　工作电压（VRWM）：2.2V
　　击穿电压（VBR）：最小 2.44V，典型 2.6V
　　钳位电压（VC）：最大 7.0V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　结温（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电容值（Ct）：典型值 0.3pF（在1MHz下）
　　漏电流（IR）：最大 1μA（在VRWM下）
　　通道数：1路单线保护
　　封装形式：DFN1006-2（1.0mm x 0.6mm）
　　引脚数：2
　　极性：双向
　　功率额定值：300W（8/20μs脉冲）
　　焊接温度（峰值）：260°C（每JEDEC J-STD-020）

USW1H2R2MDD1TD 具备出色的电气性能和物理特性，特别适用于对信号完整性要求极高的高速接口保护。其最显著的特点之一是超低的寄生电容，典型值仅为 0.3pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的负载效应或信号失真，因此非常适合用于 USB 2.0、HDMI、SDIO、I2C、MIPI 等高速差分或单端信号线的 ESD 防护。由于现代消费类电子设备的数据速率不断提升，传统保护器件往往因电容过大而导致信号衰减或眼图闭合，而该器件凭借其极低电容优势，有效解决了这一难题。
　　其次，该 TVS 器件具有非常快的响应时间，通常小于 1ps，能够在 ESD 事件发生的瞬间迅速导通并将瞬态能量泄放到地，从而防止下游 IC 受到损坏。其双向结构设计使其能够应对 ±8kV 接触放电和 ±15kV 空气放电（符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准）的严苛测试条件，确保系统在真实使用环境中具备足够的抗干扰能力。此外，器件的钳位电压控制得当，在 1A 浪涌电流下最大仅为 7.0V，远低于大多数 CMOS 器件的绝对最大额定电压，进一步提升了系统的安全裕度。
　　从材料和封装角度看，DFN1006-2 封装不仅体积小巧，有助于节省 PCB 空间，还具备良好的热传导性能，有利于热量的快速散发。该封装无引脚设计减少了寄生电感，增强了高频下的保护效果。同时，器件采用模压塑封技术，具有优异的机械强度和环境稳定性，能够在高温高湿环境下长期可靠运行。生产过程遵循 AEC-Q101 汽车级认证标准的部分要求，虽然不一定是完全认证型号，但仍表现出较高的品质一致性，适用于工业级和消费级双重应用场景。

USW1H2R2MDD1TD 广泛应用于需要高精度 ESD 保护的便携式电子设备和通信接口中。典型的应用场景包括智能手机和平板电脑中的触摸屏控制器信号线保护、前置摄像头与主处理器之间的 MIPI CSI 接口防护、音频耳机插孔的麦克风和接地线路保护，以及 NFC 天线驱动电路的瞬态抑制。由于其低电容和高速特性，它也常被用于保护 USB Type-C 接口的 CC 引脚、SBU 辅助信号线以及其他低速但易受干扰的控制信号路径。
　　在工业自动化领域，该器件可用于保护 RS-485、CAN 总线终端设备中的辅助配置引脚，防止现场操作人员带电插拔或静电累积造成的芯片损坏。此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪等人机交互频繁的产品中，USW1H2R2MDD1TD 被用来增强患者连接端口的电磁兼容性（EMC）表现，确保设备通过严格的安规认证测试。物联网（IoT）节点模块，尤其是采用 Wi-Fi 或蓝牙无线通信的传感器单元，也广泛采用此类微型 TVS 器件来提升无线射频前端供电线路和数字逻辑接口的抗扰度。
　　另外，由于其符合汽车电子的一般可靠性要求，该器件也可应用于车载信息娱乐系统中的按钮开关去抖电路、旋钮编码器输入端等非主功能区域的 ESD 防护。总之，凡是在小型化、高性能和高可靠性之间寻求平衡的设计方案中，USW1H2R2MDD1TD 都是一个理想的瞬态电压抑制解决方案选择。

SM712-02MTD
　　TPD1E10B09DPYR
　　ESD9L5.0ST5G