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IPW50R250CP 发布时间 时间:2023/3/10 14:08:24 查看 阅读:642

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:CoolMOS?

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:CoolMOS?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:250 毫欧 @ 7.8A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):550V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 520μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1420pF @ 100V

    功率 - 最大:114W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3(直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-247

    其它名称:SP000301162


资料

厂商
INFINEON/英飞凌

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IPW50R250CP参数

  • 数据列表IPW50R250CP
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 520µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1420pF @ 100V
  • 功率 - 最大114W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000301162