MA0402CG1R0B250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升电源转换效率并减小系统尺寸。
这款 GaN 晶体管适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 驱动器、无线充电模块以及消费电子设备中的其他功率管理应用。其出色的性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
型号:MA0402CG1R0B250
类型:增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管
导通电阻(Rds(on)):25 mΩ(典型值,在 Vgs=6V 下测量)
击穿电压(BVDSS):600 V
最大漏极电流(Id):4 A
栅极电荷(Qg):35 nC
输入电容(Ciss):1800 pF
输出电容(Coss):170 pF
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:LFPAK8(表面贴装)
MA0402CG1R0B250 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷,减少了开关损耗,适合高频应用。
3. 高耐压能力(600V BVDSS),确保在恶劣环境下可靠运行。
4. 小巧的封装设计(LFPAK8),便于在紧凑型电路板上布局。
5. 支持高效的散热路径,增强了系统的热稳定性。
6. 内置 ESD 保护功能,提高了抗静电能力,简化了电路设计。
MA0402CG1R0B250 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和适配器设计,提供更高的功率密度。
2. 无线充电发射端和接收端模块,优化充电效率。
3. LED 照明驱动电路,支持调光调色功能。
4. 消费类电子产品的快充解决方案,例如手机和平板电脑。
5. 工业级电机驱动和逆变器控制,实现更精确的速度调节。
6. 可再生能源系统中的功率转换模块,如太阳能微型逆变器。
MA0402CG1R0A250, MA0402CG1R0C250