时间：2025/7/1 23:15:01
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IPU13N03LA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提高系统效率并减少发热。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：导通延迟时间12ns，关断下降时间18ns
工作结温范围：-55℃至175℃
IPU13N03LA具备超低导通电阻，能够在高电流应用中显著降低功耗。
该器件的快速开关特性使其非常适合高频开关应用，例如同步整流和DC-DC转换。
其高雪崩能力和高可靠性设计确保了在严苛环境下的稳定运行。
此外，IPU13N03LA采用了优化的热设计，可以有效提升散热性能，进一步延长器件使用寿命。
该MOSFET适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
- 开关电源中的功率级开关
- 同步整流电路
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电机驱动与控制
- 电池管理系统中的保护开关
IPB130N03LSE, IRFZ44N, FDP15N60E
