类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　噪声系数：1.5 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件不同）

LN3420ADT2AG具备多项显著特性，适用于高频和低噪声应用。其高频性能使其在射频和中频放大器中表现出色，能够在高达250 MHz的频率下稳定工作。此外，该晶体管的噪声系数低至1.5 dB，确保在信号放大过程中引入的噪声最小，这对于通信系统中的信号接收端尤为重要。
　　该晶体管的电流增益范围较宽，从110到800不等，具体增益值取决于工作电流和电压条件。这使得LN3420ADT2AG能够适应多种电路设计需求，无论是小信号放大还是中等功率放大都能胜任。同时，其最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30 V，具备良好的耐压能力，能够在较宽的工作电压范围内保持稳定。
　　LN3420ADT2AG的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其功耗限制为300 mW，能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，具备良好的热稳定性和环境适应能力。这些特性使LN3420ADT2AG成为一款可靠且多功能的晶体管，适用于各种高频电子电路。

LN3420ADT2AG广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器、混频器、振荡器以及前置放大器等电路中。在无线通信系统中，它常用于信号接收端的低噪声放大器（LNA），以提高信号的接收灵敏度。此外，该晶体管还可用于音频放大器的前置级，以提升音质的清晰度和细节表现。由于其良好的高频特性和低噪声系数，LN3420ADT2AG也常用于无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、GPS接收器以及射频识别（RFID）设备等现代电子设备中。在消费类电子产品中，它可用于音频设备、电视机调谐器和无线遥控装置等应用场景。

BC547, 2N3904, PN2222A