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SKM200GB128DR 发布时间 时间:2025/8/22 18:17:01 查看 阅读:22

SKM200GB128DR 是一款由赛米控(SEMIKRON)公司生产的IGBT模块,广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、变频器、UPS系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管芯片,采用紧凑的封装设计,具有良好的热性能和电气性能。该模块额定电流为200A,电压等级为1200V,属于高性能、高可靠性的功率器件。

参数

型号:SKM200GB128DR
  制造商:SEMIKRON
  器件类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):200A(在TC=80℃时)
  短路耐受电流:400A/10μs
  工作温度范围:-40℃至+150℃
  封装形式:双列直插式(Dual-in-Line)
  安装方式:底板安装
  绝缘耐压:2500V AC(1分钟)
  热阻(Rth):0.35K/W(典型值)

特性

SKM200GB128DR 是一款基于第六代IGBT芯片技术的模块,具有优异的导通和开关损耗平衡特性,适用于中高功率应用。该模块采用先进的封装技术,确保良好的散热性能和长期可靠性。
  其内部集成了两个IGBT芯片和两个反并联的快速恢复二极管芯片,构成一个完整的半桥电路结构,便于在H桥或逆变器拓扑中使用。
  该模块的封装材料具有优良的绝缘性能和机械强度,可有效防止高电压和大电流下的击穿和电弧现象。此外,模块内部芯片采用并联设计,提升了整体的电流承载能力和均流效果。
  SKM200GB128DR 还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间承受超过额定电流数倍的负载而不损坏,适用于对可靠性要求较高的工业环境。
  此外,该模块还设计有低电感引线和优化的内部布局,有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高系统稳定性。

应用

SKM200GB128DR 常用于高性能工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备以及可再生能源系统中的逆变器和变流器等应用。由于其高电流和高电压能力,特别适合用于需要高效率和高可靠性的中高功率系统。

替代型号

SKM200GB12T4、SKM200GB128K、SKM300GB128DR

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