时间：2025/7/23 17:25:20
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IPT60R080G7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用CoolMOS?技术，适用于高效率和高功率密度的电源应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热性能，适用于如服务器电源、电信电源、工业电源和DC-DC转换器等场景。
类型：功率MOSFET
最大漏极电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：37A
导通电阻（RDS(on)）：80mΩ
栅极电荷（Qg）：52nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
IPT60R080G7 具有多个显著特性，使其在高性能电源系统中表现优异。首先，其导通电阻仅为80mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体能效。其次，该器件采用英飞凌的CoolMOS?技术，提供了卓越的开关性能和较低的开关损耗，有助于提升系统的开关频率和减小电源体积。
此外，IPT60R080G7具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行，并延长系统的使用寿命。其栅极电荷（Qg）为52nC，使得驱动损耗降低，进一步优化了开关性能。
在可靠性方面，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力和良好的短路耐受性，确保在极端工作条件下依然保持稳定。此外，其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于多种工业应用。
IPT60R080G7 主要应用于需要高效能功率转换的领域。例如，在服务器电源和电信电源系统中，该器件能够提供高效的能量转换，同时保持较低的热量生成。在工业电源和DC-DC转换器中，其高耐压能力和低导通电阻使其成为理想的选择。
此外，该MOSFET还可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电机驱动系统。由于其优异的开关性能和高可靠性，IPT60R080G7在这些应用中能够显著提高系统效率并减小电源体积。
在设计高功率密度的电源系统时，IPT60R080G7的高性能特性和紧凑的封装形式使其成为工程师的首选功率器件。
IPW60R080G7, IPP60R080G7, SPD110N60C3
