时间：2025/8/23 16:28:12
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SKIM601GD126DM 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率模块，属于 SiC（碳化硅）功率模块系列。该模块集成了 SiC MOSFET 技术，专为高效率、高频率和高温工作环境设计，适用于电动汽车（EV）、可再生能源系统以及工业电源转换设备。该模块采用双路半桥拓扑结构，具有较低的导通损耗和开关损耗，能够显著提高系统效率。
类型：SiC功率模块
拓扑结构：半桥双路
额定电压：1200V
额定电流：60A
技术：SiC MOSFET
封装形式：双列直插式（DIP）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
热阻（Rth）：典型值 0.35 K/W
短路耐受能力：600A（10μs）
最大功耗：200W
SKIM601GD126DM 功率模块采用了先进的碳化硅（SiC）MOSFET 技术，具有显著的性能优势。其导通损耗和开关损耗远低于传统硅基 IGBT 模块，从而在高频开关应用中实现更高的能效。此外，该模块具有优异的热性能，热阻低至 0.35 K/W，有助于提高散热效率，延长器件寿命。
该模块支持高达 175°C 的工作温度，适用于高温环境下的可靠运行。其半桥拓扑结构设计简化了电路布局，提高了系统的集成度。模块内部集成了双路半桥结构，可支持多种功率变换拓扑，如降压（Buck）、升压（Boost）和全桥变换器。
SKIM601GD126DM 还具备较强的短路耐受能力，可在 600A 的短路电流下维持 10 微秒而不损坏，确保系统在异常情况下的安全性。此外，其封装形式为工业标准的双列直插式（DIP），便于安装和散热设计，适用于各种高功率密度应用场景。
SKIM601GD126DM 主要应用于需要高效能、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电机驱动器，以及太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。此外，该模块也适用于工业电源、UPS（不间断电源）、焊接设备和电能质量调节装置。
在电动汽车领域，SKIM601GD126DM 可用于提升充电效率和功率密度，缩短充电时间并延长续航里程。在可再生能源系统中，其高频工作能力和低损耗特性有助于提高光伏逆变器的整体效率。而在工业电源系统中，该模块的高可靠性和紧凑封装使其成为高密度电源设计的理想选择。
SKIM501GD126DML, SCT3040KL, STK554U3AG2R-E
