IPT60R040S7 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 OptiMOS 系列,主要针对高效能开关应用设计。它具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等优点,非常适合工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效开关的场景。
IPT60R040S7 的封装形式为 TO-Leadless(TOLL),这是一种无引脚封装技术,能够提供卓越的散热特性和电气性能。此外,其额定电压为 650V,使其适合高压应用环境。
最大漏源电压:650V
导通电阻(典型值):40mΩ
连续漏极电流(@25°C):63A
栅极电荷:140nC
反向恢复时间:80ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-Leadless (TOLL)
IPT60R040S7 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,减少开关损耗。
3. 出色的热性能,得益于 TOLL 封装的低热阻设计。
4. 内置雪崩能量能力,增强器件的耐用性和可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
6. 支持高频开关操作,满足现代电源系统对效率和尺寸的要求。
7. 提供快速反向恢复二极管功能,优化开关波形并减少振荡。
IPT60R040S7 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下场景:
1. 工业电源供应器(如不间断电源 UPS 和服务器电源)。
2. 电动汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 电机控制和驱动,例如家用电器和工业设备中的变速电机。
5. DC-DC 转换器,用于电信设备和消费类电子产品。
6. 开关模式电源(SMPS),提高能源转换效率。
IPT60R090S7, IPT60R140S7