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HM6116L-90 发布时间 时间:2025/9/7 7:57:19 查看 阅读:3

HM6116L-90 是由 Hitachi(现为 Renesas)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。其容量为2K x 8位,即总共16K位的存储空间。该芯片广泛用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。

参数

容量:2K x 8位
  访问时间:90ns
  电源电压:5V
  封装类型:28引脚 DIP / SOP
  工作温度范围:商业级(0°C 至 +70°C)
  输入/输出电平:TTL 兼容
  封装尺寸:取决于具体封装形式(如 DIP 或 SOP)

特性

HM6116L-90 采用高速 CMOS 工艺制造,具备快速访问时间(90ns),适用于对数据读写速度有一定要求的场景。该芯片采用标准异步SRAM架构,无需时钟控制,读写操作由片选(CS)和写使能(WE)信号控制,使用灵活。
  该器件具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。同时,其TTL兼容的输入/输出电平使其能够方便地与多种微控制器和逻辑电路接口。
  在封装方面,HM6116L-90 提供了28引脚DIP和SOP两种版本,适用于不同空间需求的应用场景。DIP封装便于插拔和调试,适合开发阶段使用,而SOP封装则适合空间受限的批量产品设计。
  此外,该芯片具有较高的抗干扰能力和稳定性,适合在工业环境中使用。其工作温度范围为商业级(0°C 至 +70°C),适用于大多数非极端环境的应用。

应用

HM6116L-90 被广泛应用于需要中等容量高速存储的设备中,例如工业控制系统的数据缓冲区、测量仪器的临时数据存储、嵌入式系统的高速缓存、通信设备的数据中转站以及老式计算机和游戏设备的内存扩展等场景。由于其异步接口和标准引脚排列,该芯片也非常适合用于原型开发和教育实验平台。

替代型号

HM6116P-4, CY6216BLL-45, IDT7164SA90PFG, AS6C6216-90

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