FN18X223K500PSG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频率开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
FN18X223K500PSG广泛应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动以及各类开关电源解决方案中。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:22A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:90nC
总电容(输入电容):1800pF
开关频率范围:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
FN18X223K500PSG具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,在高电流负载下能有效减少功耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合,降低开关损耗。
3. 高击穿电压设计,确保在高压环境下的稳定运行。
4. 内置静电保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准,绿色环保无铅封装。
6. 提供良好的热性能,适用于大功率应用需求。
这些特性使得该器件成为高效节能电子设备的理想选择。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、工业控制等领域。
3. 各类电机驱动电路,包括步进电机和无刷直流电机。
4. LED驱动电路,提供高效率恒流输出。
5. 充电器及适配器设计中的功率级元件。
由于其出色的电气性能和可靠性,FN18X223K500PSG在众多行业中得到了广泛应用。
IRFP460, FQP18N50, STP17NF50