IPT020N10N3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由Infineon Technologies生产。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换等。它能够在高频条件下高效运行,并且具备良好的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:20A
导通电阻:1.8mΩ(典型值)
栅极电荷:49nC(典型值)
开关频率:高达500kHz
封装形式:TO-247
IPT020N10N3使用了Infineon的CoolMOS技术,具有非常低的导通电阻,从而减少了传导损耗并提高了整体效率。此外,其优化的栅极电荷使得开关损耗较低,非常适合高频应用。
该器件还具有出色的热性能,可以有效管理功率耗散。同时,内置的ESD保护提高了其在实际应用中的可靠性。
IPT020N10N3的漏源击穿电压为100V,能够承受瞬态高压,确保在各种工作条件下的稳定性。
另外,其大电流能力(20A连续漏极电流)使其适合需要高功率输出的应用场景。
IPT020N10N3广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压转换。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 汽车电子中的负载切换和逆变器。
5. 可再生能源系统中的功率转换模块,例如太阳能逆变器。
IPT022N10N3, IPT025N10N3