时间：2025/12/27 7:53:22
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1N60L-B-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-923封装形式。该器件专为高频、高效率的整流应用设计，广泛应用于便携式电子设备和空间受限的电路板布局中。1N60L-B-TN3-R具有低正向压降和快速开关特性，能够显著降低功率损耗，提高系统整体能效。其小型化封装使其非常适合用于需要紧凑设计的消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类电源管理模块。该二极管在反向电压耐受方面额定为60V，适用于低压直流电路中的整流、续流和防反接保护等应用场景。由于其优良的热稳定性和可靠性，1N60L-B-TN3-R也被广泛用于工业控制、通信设备和电池供电系统中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。1N60L-B-TN3-R采用卷带包装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的效率和一致性。
型号：1N60L-B-TN3-R
制造商：Diodes Incorporated
封装类型：SOD-923
二极管类型：肖特基势垒二极管
最大重复反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IO）：300mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
最大正向电压（VF）：500mV @ 150mA
最大反向漏电流（IR）：10μA @ 60V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热电阻（RθJA）：350°C/W
安装方式：表面贴装
1N60L-B-TN3-R具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在150mA电流下典型值仅为500mV，有效减少了能量损耗并提高了电源转换效率。这种低VF特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。该器件还表现出极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频开关电源、DC-DC转换器和谐振电路中表现出色，能够显著减少开关噪声和电磁干扰。SOD-923封装尺寸小巧，仅为2.1mm x 1.3mm x 1.0mm，极大节省了PCB布局空间，适应高密度集成的设计需求。尽管体积小，但其热设计经过优化，能够在不超过最大结温的前提下持续工作于较高负载条件。1N60L-B-TN3-R具有良好的反向击穿特性，最大反向电压稳定在60V，确保在瞬态电压波动或轻度过冲情况下仍能保持可靠运行。器件的反向漏电流控制在10μA以内（60V时），在高温环境下依然保持较低水平，避免因漏电增加而导致的功耗上升问题。产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级评估，确保在严苛工作环境中长期稳定运行。此外，该二极管具备良好的ESD防护能力，增强了在装配和使用过程中的抗静电损伤能力。所有这些特性使得1N60L-B-TN3-R成为高性能、小型化电源管理系统中的理想选择。
1N60L-B-TN3-R广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和能效有严格要求的应用场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源整流与极性保护，例如在USB充电电路、锂电池充放电管理模块中作为防反接二极管使用。它也常被用于DC-DC转换器中作为续流二极管或输出整流元件，利用其快速响应和低正向压降提升转换效率。在信号隔离、电压钳位和瞬态抑制电路中，该器件可有效防止电压倒灌和信号回流，保障主控芯片安全。此外，1N60L-B-TN3-R适用于各种低电压、小电流的交流转直流整流任务，如适配器次级侧整流、LED驱动电源和传感器供电单元。在通信设备中，可用于接口保护和电源轨隔离。工业控制领域的PLC模块、智能仪表和远程终端单元（RTU）也常采用此类微型肖特基二极管以实现高效可靠的电源管理。由于其符合环保标准且支持自动贴片工艺，该器件在大规模量产的消费电子和工业电子产品中具有很高的适用性和经济性。
BAT54C-WT
