时间：2025/8/4 18:23:53
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IPP80P03P3L-04是一种功率MOSFET晶体管，广泛用于高功率开关应用。该器件由英飞凌（Infineon）公司制造，属于其OptiMOS?系列的一部分。该系列MOSFET以其低导通电阻（RDS(on)）和高效率而闻名，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理应用。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：80A
RDS(on)（最大值）：3.4mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：68nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IPP80P03P3L-04 MOSFET具有多项优异特性。首先，其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流处理能力，支持高达80A的漏极电流，使其适用于高功率应用。该MOSFET的高热稳定性和宽工作温度范围使其能够在严苛环境下可靠运行。封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体系统效率。
该器件采用先进的制造工艺，确保了优异的可靠性和长期稳定性。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于在PCB上安装和散热管理。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，提高系统的耐用性。
IPP80P03P3L-04 MOSFET常用于多种高功率应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动车辆（EV）充电系统、工业电源、电机控制和负载开关等。其高效能特性使其成为需要高能效和紧凑设计的电源管理系统的理想选择。
IPB80P03P3L-04, IPP80P03P4-04
