类型：射频功率晶体管（LDMOS）
　　工艺技术：LDMOS
　　封装形式：法兰封装（Flanged Package）
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　最大漏-源电压（Vds）：65V
　　工作频率范围：1.8GHz至2.5GHz
　　输出功率：25W
　　增益：约18dB
　　效率：约65%
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

CGH40025F/P 具备出色的射频性能和可靠性，适合在要求高功率密度和高效率的应用中使用。该器件的工作频率范围覆盖1.8GHz至2.5GHz，使其适用于多种无线通信系统。
　　其LDMOS结构提供了高线性度和低失真特性，这对于多载波和宽带信号放大至关重要。此外，该晶体管具有良好的热稳定性，法兰封装设计有助于在高功率运行时快速散热，从而延长器件寿命。
　　在性能方面，CGH40025F/P能够在65V的漏-源电压下提供高达25W的输出功率，并且具备较高的增益（约18dB），使其在射频功率放大器中表现优异。其高效率（约65%）特性可以显著降低功耗，减少对冷却系统的需求，适用于需要节能设计的设备。
　　同时，该器件在极端温度条件下（-55°C至+150°C）仍能保持稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。

CGH40025F/P 广泛应用于射频通信系统，包括基站功率放大器、无线基础设施、工业射频设备以及测试测量仪器等。其高功率输出和宽频率范围使其成为多载波通信系统、无线局域网（WLAN）、WiMAX、以及广播发射器中的理想选择。此外，该晶体管也适用于医疗射频设备、雷达系统和高功率射频加热设备等领域。

CGH40010F/P, CGH40050F/P, NXP的MRF151G, STMicroelectronics的STD12NM52N