类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：最大200mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110-800（根据等级不同）
　　截止频率（fT）：100MHz

高电流增益：2N4201晶体管的电流增益（hFE）较高，通常在110到800之间，具体取决于器件的等级。这使得它能够有效地放大信号。
　　优异的频率响应：该晶体管具有100MHz的过渡频率（fT），使其适用于中高频放大电路。
　　低饱和压降：2N4201 在导通状态下具有较低的集电极-发射极饱和电压（Vce sat），通常小于0.3V，这有助于降低功耗并提高效率。
　　宽工作温度范围：其-55°C至+150°C的工作温度范围使其适用于各种环境条件，包括工业和汽车应用。
　　封装小巧：TO-92封装使得2N4201易于安装在各种PCB布局中，并且适合手动焊接和自动化装配。
　　成本效益高：由于其广泛的应用和标准化设计，2N4201的制造成本较低，是许多通用电子项目的首选晶体管。

2N4201 主要用于需要中等功率放大或开关功能的电路中。典型应用包括音频放大器的前置放大级、信号发生器、振荡器、数字开关电路、LED驱动电路以及继电器驱动器等。此外，它也常用于模拟电路设计中的通用放大器配置，如共发射极放大器和射极跟随器。由于其高频特性，它在射频（RF）应用中也有一定的使用价值。

BC547, 2N3904, 2N2222, PN2222