CS13N50A8H 时间：2025/8/2 2:58:57 阅读：16

CS13N50A8H是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及各种功率电子设备中。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。CS13N50A8H采用TO-220封装形式，便于散热并适用于多种工业级应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

CS13N50A8H具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，在10V栅极驱动电压下Rds(on)最大仅为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源击穿电压高达500V，确保在高压环境下依然具备良好的工作稳定性。此外，CS13N50A8H具有较高的热阻能力，结合TO-220封装的良好散热性能，使其在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而提高系统可靠性。
　　在开关特性方面，CS13N50A8H拥有较快的开关速度，有助于减小开关损耗，提高整体效率。其栅极电荷（Qg）较低，能够有效减少驱动电路的能量消耗，适合高频开关应用。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过流保护特性，可在异常工况下维持器件的安全运行。
　　另外，CS13N50A8H的TO-220封装结构紧凑、安装方便，符合RoHS环保标准，适用于各类工业电源、适配器、LED照明驱动、电池充电器以及电机控制等应用场合。

应用

CS13N50A8H主要用于中高功率的电源系统中，例如AC-DC开关电源、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源、电池管理系统以及电机驱动控制电路。由于其具备高耐压和低导通电阻特性，特别适用于对效率和散热性能有较高要求的工业级电源设备。此外，CS13N50A8H还可用于各类功率因数校正（PFC）电路和高频开关电源中，以提升整体系统的能效表现。