类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：19A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.28Ω
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

FMH19N50G 的核心特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率；其高耐压特性（500V VDS）使其适用于高电压应用环境，如电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，从而增强器件在严苛环境下的可靠性。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，便于安装在标准散热片上以提高散热效率。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和15V驱动电路，方便设计工程师进行电路设计和优化。此外，FMH19N50G 具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的鲁棒性和寿命。其高可靠性设计使其适用于工业级应用，如工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器以及高功率LED照明系统。

FMH19N50G 常用于高功率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-AC逆变器、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外，该器件还可用于电池管理系统、充电器、太阳能逆变器以及各类高电压直流-直流转换器中，提供高效、稳定的功率控制能力。

FQP19N50C, IRF19N50, STF19N50M, FQA19N50