IDT71256S100DB 时间：2025/4/29 10:07:16 阅读：3

IDT71256S100DB是一款由Integrated Device Technology (IDT)生产的高速、低功耗静态随机存取存储器(SRAM)，适用于需要高性能和可靠性的应用。该芯片采用了CMOS的功耗特性，广泛应用于通信、网络设备、工业控制以及消费类电子产品中。
　　IDT71256系列是同步Burst SRAM，支持突发模式操作，允许连续地址数据传输，从而显著提高系统性能。其设计注重高频率运行环境下的稳定性，同时提供灵活的时钟控制功能。

参数

容量：512K x 16位
　　工作电压(Vcc)：2.5V ± 0.1V
　　待机电流：20mA（典型值）
　　工作电流：300mA（最大值）
　　访问时间：10ns
　　时钟频率：最高100MHz
　　封装类型：100引脚TQFP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持时间：无限期

特性

IDT71256S100DB具备以下关键特性：
　　1. 高速操作：支持高达100MHz的工作频率，能够满足现代高性能系统的时序要求。
　　2. 突发模式：支持突发读写操作，允许连续地址的数据访问而无需额外的等待周期，极大地提高了数据吞吐量。
　　3. 低功耗：采用先进的CMOS工艺，确保在高频工作时仍然维持较低的功耗水平。
　　4. 同步接口：所有输入输出信号均与系统时钟同步，简化了与外部控制器或处理器的连接。
　　5. 静态存储：无需刷新操作，保证数据的长期可靠性。
　　6. 工业级温度范围：适应恶劣环境下的稳定运行，适合各种工业及商业应用。

应用

IDT71256S100DB主要应用于对速度和可靠性要求较高的场景：
　　1. 网络通信设备：如路由器、交换机等，用于高速缓存临时数据。
　　2. 图形处理单元：用作帧缓冲区或其他中间存储需求。
　　3. 数字信号处理器(DSP)：作为本地内存以加速指令执行和数据处理。
　　4. 工业自动化：在实时控制系统中提供快速响应能力。
　　5. 消费电子：如高端游戏机或多媒体设备中的临时数据存储。
　　此外，它还可用于任何需要大容量、快速访问SRAM的应用场合。