时间：2025/7/8 23:12:23
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SI2316BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 PowerPAK? 8x8 封装，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等应用领域。
该型号的功率 MOSFET 主要针对消费电子、工业设备及通信领域的设计需求，提供紧凑封装和高性能指标。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PowerPAK? 8x8
SI2316BDS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高效的热性能，能够支持更高的功率密度。
3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频开关应用。
4. 良好的雪崩能力和耐用性，保证在异常条件下也能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，无铅设计，满足环保要求。
6. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境下的使用场景。
SI2316BDS-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 电机驱动电路中的开关或保护元件。
4. 计算机及外设中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信设备中的电源管理单元。
SI2308DS, SI2318DS, IRF7843
