IPP65R190CFDA 时间：2025/7/23 2:43:36 阅读：9

IPP65R190CFDA是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能CoolMOS? CFD系列功率MOSFET，采用先进的超结（Super Junction）技术。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于电源转换器、服务器电源、电信电源、工业电源及太阳能逆变器等高要求的应用场景。其主要特点是具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，同时具有优异的热管理和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　电压：650V
　　电流：11A（最大连续漏极电流）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.19Ω
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（Qg）：47nC
　　漏源击穿电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Ptot）：84W
　　封装形式：TO-220

特性

IPP65R190CFDA的主要特性包括其先进的CoolMOS技术，提供卓越的能效和功率密度。该器件的超结结构显著降低了导通损耗，同时保持了快速的开关特性，有助于提高整体系统效率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的热传导性能，适合在高负载条件下工作。此外，IPP65R190CFDA具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过载和异常工作条件，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　由于其较低的栅极电荷（Qg），该器件在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高系统效率。同时，其栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。
　　该器件还具备良好的线性工作区性能，适用于需要精确控制的应用，例如电机驱动和DC-DC转换器。此外，IPP65R190CFDA具有优异的短路耐受能力，能够在极端条件下提供保护，从而延长设备寿命并降低维护成本。

应用

IPP65R190CFDA广泛应用于各种高功率和高效率的电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、服务器电源、电信电源、工业电源、太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）和电池充电器等。
　　在开关电源中，该器件的低导通电阻和快速开关特性使其成为提高电源效率的理想选择，特别是在高频率工作条件下。
　　在太阳能逆变器中，IPP65R190CFDA能够提供高效率的功率转换，帮助最大化太阳能系统的能量输出。
　　在工业控制和自动化设备中，该MOSFET的高可靠性和优异的热管理性能使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）和电动汽车充电设备，提供高效的能量转换和可靠的系统保护。