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SBL2045PT 发布时间 时间:2025/12/26 11:29:15 查看 阅读:24

SBL2045PT是一款高性能的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用双二极管共阴极配置,专为高效率、高频整流应用设计。该器件由ONSEMI(安森美)公司生产,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及续流和箝位电路中。SBL2045PT封装在紧凑的D-Pak(TO-252AA)表面贴装封装中,具备良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产工艺。
  SBL2045PT的核心优势在于其低正向压降(VF)和快速反向恢复特性,这使其在高频率开关条件下能显著降低导通损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。其最大重复反向电压为45V,平均整流电流可达20A,适用于中等功率级别的电源转换场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具有可靠的长期工作稳定性。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计,SBL2045PT常被用于通信设备、工业控制、消费类电子产品及汽车电子等领域中的电源模块设计。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  配置:双共阴极
  最大反向重复电压(VRRM):45V
  平均整流电流(IO):20A
  峰值浪涌电流(IFSM):150A
  最大正向压降(VF):0.57V @ 10A, 0.62V @ 20A
  最大反向漏电流(IR):400μA @ 45V
  反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:D-Pak (TO-252AA)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

SBL2045PT的核心特性之一是其低正向导通压降,在20A大电流条件下仍能保持低于0.62V的压降水平,这一特性极大地减少了导通期间的能量损耗,提升了电源系统的整体转换效率。尤其在低压大电流输出的应用如5V或3.3V DC-DC变换器中,这种低VF表现尤为重要,能够有效避免因发热导致的可靠性下降问题。
  另一个关键特性是其极短的反向恢复时间(trr),典型值仅为5纳秒。与传统PN结二极管相比,肖特基二极管本身不具备少子存储效应,因此几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),从而消除了开关过程中的反向电流尖峰和相关电磁干扰(EMI)。这对于高频开关电源(如工作频率超过100kHz的拓扑结构)至关重要,有助于减小滤波元件体积并提升系统动态响应能力。
  该器件采用双共阴极结构,两个独立但共享阴极端子的肖特基二极管集成在一个封装内,适用于全波整流或同步整流辅助电路设计。这种集成方式不仅节省了PCB布局空间,还简化了电路布线复杂度,提高了组装密度。
  热性能方面,D-Pak封装具有较大的散热焊盘,可通过PCB上的铜箔区域实现高效散热,确保在持续高负载运行下结温控制在安全范围内。同时,其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其能够在恶劣环境温度条件下稳定工作,包括高温工业环境或靠近发热源的安装位置。
  此外,SBL2045PT具备较强的抗浪涌能力,可承受高达150A的非重复浪涌电流,增强了对输入瞬态过流事件(如电源启动冲击)的耐受性。器件还通过了多项国际认证,符合无铅和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。

应用

SBL2045PT广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源(SMPS)中作为输出整流二极管,特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器、服务器电源和电信整流模块中表现出色。其低正向压降和快速响应特性使其成为替代传统快恢复二极管的理想选择,有助于提升能效并满足能源之星等节能标准。
  在DC-DC转换器领域,无论是隔离型还是非隔离型拓扑(如Buck、Boost、Flyback等),SBL2045PT常用于次级侧整流环节,尤其是在同步整流尚未普及或成本受限的设计中发挥重要作用。它也可用作续流二极管(freewheeling diode),在电感性负载断开时提供电流泄放路径,防止电压尖峰损坏主开关器件。
  此外,该器件适用于逆变器电路中的箝位和保护功能,用于吸收感性元件产生的反电动势。在太阳能微逆变器、LED驱动电源和便携式充电设备中也有广泛应用。
  由于其良好的热稳定性和表面贴装封装,SBL2045PT特别适合自动化回流焊工艺,广泛用于通信基站电源板、工业控制电源单元、消费类主板VRM模块以及汽车电子中的辅助电源系统。在汽车应用中,尽管并非AEC-Q101认证器件,但在非严苛车载环境中仍可作为通用整流元件使用。

替代型号

SS245

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SBL2045PT参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)550mV @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 45V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)20A
  • 电压 - (Vr)(最大)45V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件