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H7N1004DSTL-E 发布时间 时间:2025/6/6 8:43:31 查看 阅读:4

H7N1004DSTL-E 是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适合在高效率要求的应用中使用。
  这款芯片通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景,能够显著提高电路的能效并减少发热问题。

参数

型号:H7N1004DSTL-E
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源电压):100V
  Rds(on)(导通电阻):4mΩ
  Id(连续漏极电流):36A
  Qg(栅极电荷):59nC
  Vgs(th)(阈值电压):2.8V
  fT(截止频率):1.8MHz
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

H7N1004DSTL-E 的核心优势在于其卓越的电气特性和可靠性:
  1. 极低的导通电阻(4mΩ),可以有效降低功耗,并提升系统效率。
  2. 快速的开关性能,得益于其较小的栅极电荷(59nC),使得它非常适合高频应用。
  3. 高额定漏极电流(36A),能够在大电流负载下稳定运行。
  4. 较宽的工作温度范围(-55℃至+175℃),保证了器件在极端环境下的可靠表现。
  5. 采用了D2PAK封装,具备良好的散热性能和坚固的机械结构,便于表面贴装技术(SMT)生产。
  6. 支持高效的功率转换应用,如同步整流、降压/升压转换器及电机控制等场景。

应用

H7N1004DSTL-E 广泛适用于多种电力电子设备和系统:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主功率级开关元件。
  2. 同步整流器电路中的关键组件。
  3. DC-DC转换器,特别是需要高效率和高频工作的场合。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动器。
  6. LED驱动器和汽车电子系统中的功率调节模块。
  此外,由于其优秀的热管理和电气特性,此器件也被推荐用于空间有限但功率需求较高的应用领域。

替代型号

H7N1006PSTL-E, IRFZ44N, FDN368N

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