H7N1004DSTL-E 时间：2025/6/6 8:43:31 阅读：25

H7N1004DSTL-E 是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适合在高效率要求的应用中使用。
　　这款芯片通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景，能够显著提高电路的能效并减少发热问题。

参数

型号：H7N1004DSTL-E
　　类型：N-Channel MOSFET
　　Vds（漏源电压）：100V
　　Rds(on)（导通电阻）：4mΩ
　　Id（连续漏极电流）：36A
　　Qg（栅极电荷）：59nC
　　Vgs(th)（阈值电压）：2.8V
　　fT（截止频率）：1.8MHz
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

H7N1004DSTL-E 的核心优势在于其卓越的电气特性和可靠性：
　　1. 极低的导通电阻（4mΩ），可以有效降低功耗，并提升系统效率。
　　2. 快速的开关性能，得益于其较小的栅极电荷（59nC），使得它非常适合高频应用。
　　3. 高额定漏极电流（36A），能够在大电流负载下稳定运行。
　　4. 较宽的工作温度范围（-55℃至+175℃），保证了器件在极端环境下的可靠表现。
　　5. 采用了D2PAK封装，具备良好的散热性能和坚固的机械结构，便于表面贴装技术（SMT）生产。
　　6. 支持高效的功率转换应用，如同步整流、降压/升压转换器及电机控制等场景。

应用

H7N1004DSTL-E 广泛适用于多种电力电子设备和系统：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的主功率级开关元件。
　　2. 同步整流器电路中的关键组件。
　　3. DC-DC转换器，特别是需要高效率和高频工作的场合。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
　　5. 工业自动化设备中的电机驱动器。
　　6. LED驱动器和汽车电子系统中的功率调节模块。
　　此外，由于其优秀的热管理和电气特性，此器件也被推荐用于空间有限但功率需求较高的应用领域。