时间：2025/8/20 20:49:18
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IPP5R250CE 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用CoolMOS?技术，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统和电池充电器等应用中。
类型：功率MOSFET
技术：CoolMOS?
最大漏极电流（ID）：11A（Tc=100°C）
漏源极击穿电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：30nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）等
IPP5R250CE 采用了英飞凌先进的CoolMOS?技术，使其在高压应用中具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件的高雪崩耐量和优异的热稳定性使其适用于高可靠性和高负载的应用环境。该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。同时，其封装形式具备良好的散热性能，确保在高功率密度条件下的稳定运行。
在实际应用中，IPP5R250CE 的设计优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了外围电路的复杂度。该器件具备较高的短路耐受能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。其温度系数优化，使得在不同工作温度下仍能维持良好的电气性能。
IPP5R250CE 主要用于各种高效率电源转换系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、服务器电源、电信整流器、电池充电器以及太阳能逆变器等。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、电机驱动器和UPS（不间断电源）系统等对效率和可靠性要求较高的应用场景。
IPP5R250CFA、IPA5R250CE、IPD5R250CE、STF11N60DM2、FCH072N60F
