时间：2025/12/26 19:40:51
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MDFS10N60DTH是一款由Magnachip Semiconductor生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备优异的开关特性和导通电阻性能，能够在高电压环境下稳定工作。MDFS10N60DTH的最大漏源击穿电压为600V，连续漏极电流能力在25°C下可达10A，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件通常封装于TO-220F或类似的通孔插装封装中，便于散热管理与电路板安装，适用于工业控制、照明电源、适配器和家用电器等应用领域。其设计优化了雪崩能量耐受能力和体二极管反向恢复特性，有助于提升系统在瞬态负载和异常工况下的鲁棒性。此外，该MOSFET具备低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），可有效降低驱动损耗，提高整体电源转换效率。
型号：MDFS10N60DTH
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id @ 25°C）：10A
脉冲漏极电流（Idm）：40A
最大功耗（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：典型值0.78Ω，最大值0.95Ω
阈值电压（Vth）：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
输入电容（Ciss）：典型值1100pF
输出电容（Coss）：典型值470pF
反向传输电容（Crss）：典型值50pF
栅极电荷（Qg）：典型值45nC
开启延迟时间（td(on)）：典型值25ns
上升时间（tr）：典型值65ns
关断延迟时间（td(off)）：典型值70ns
下降时间（tf）：典型值35ns
体二极管正向压降（Vsd）：1.2V @ If=10A
反向恢复时间（trr）：典型值65ns
MDFS10N60DTH具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在600V高压应用中实现了较低的导通损耗与开关损耗平衡。器件采用高性能平面工艺制造，确保了Rds(on)在高温条件下仍保持相对稳定，从而提升了系统在满载或高温环境下的效率表现。其低栅极电荷（Qg）特性显著降低了驱动电路所需的驱动功率，尤其适合高频开关应用，如PFC电路和SMPS拓扑结构。此外，较低的输入电容（Ciss）有助于减少开关过程中的dv/dt感应效应，提高系统的抗干扰能力。
该MOSFET内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，典型反向恢复时间（trr）为65ns，能够有效减少二次损耗并抑制电压振荡，特别适用于需要频繁换流的应用场景。其雪崩耐量经过严格测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）能力，可在突发短路或电感负载突变时提供额外保护，增强系统可靠性。封装方面，TO-220F形式提供了良好的散热路径，允许通过外接散热片进一步提升功率处理能力。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品的设计需求。同时，其引脚配置标准化，便于替换同类产品并简化PCB布局设计。
MDFS10N60DTH广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源模块以及家用电器中的电机控制电路。其600V耐压能力使其特别适合用于通用输入电压范围（85V~265V AC）的离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用。此外，在功率因数校正（PFC）升压电路中，该器件也能胜任连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CRM）下的高频开关任务，帮助实现高能效和低谐波失真。在太阳能微型逆变器、UPS不间断电源和小型逆变焊机等设备中，MDFS10N60DTH可用于桥式拓扑中的半桥或全桥开关元件，提供可靠的功率切换功能。其稳定的高温性能也使其适用于密闭空间或通风不良的环境中长期运行。由于具备良好的抗浪涌和瞬态响应能力，该器件还可用于电磁炉、微波炉等家电产品的IGBT辅助电源或门极驱动级。
KIA10N60D, FQP10N60C, STF10N60DM2, IRFBC20, HFA10N60ND
