时间：2025/6/27 12:30:49
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IPP100N08N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用。它采用 TO-220 封装形式，广泛应用于工业、汽车以及消费电子领域中的电源管理电路。其耐压为 80V，连续漏极电流可达 100A，适合用于直流电机驱动、负载切换和 DC-DC 转换器等场景。
这款 MOSFET 的设计注重高效能与可靠性，在降低功耗的同时提升系统性能。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：100A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：60nC
总电容：1450pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPP100N08N3G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 高速开关能力，能够满足高频开关需求。
3. 内置反向二极管，支持续流功能。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 优秀的热性能表现，适应高温工作环境。
6. 出色的雪崩能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
7. 可靠的电气隔离性能，确保稳定运行。
IPP100N08N3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，如直流无刷电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
5. 电动车充电系统及电池管理系统。
6. 各类需要大电流、低电压的电力电子应用。
IPP100N08S3, IRFZ44N, FDP18N08
