类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：3A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω
　　栅极电荷(Qg)：约45nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247-3

IXTT3N200P3HV具备多项高性能特性。首先，其200V的最大漏源电压允许在高压系统中稳定运行，适用于如开关电源和DC-DC转换器等应用。其次，该器件的导通电阻Rds(on)典型值为1.2Ω，这在同类产品中表现优异，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET模块采用TO-247-3封装，具备良好的热管理和散热能力，能够有效降低工作温度，从而提升器件的可靠性和使用寿命。此外，其栅极电荷Qg约为45nC，支持较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。
　　IXTT3N200P3HV的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应极端环境下的运行需求，使其在工业自动化、电机控制和电源管理系统中具有广泛的应用前景。该器件还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频工作时的寄生效应，提升整体系统稳定性。
　　此外，该模块设计注重可靠性，在制造过程中采用了严格的测试和筛选流程，确保在各种苛刻条件下的稳定性和耐久性。其结构还具备较高的抗短路能力和过流保护性能，适合用于高要求的功率应用。

IXTT3N200P3HV广泛应用于需要高压、高效率和高可靠性的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电动车辆的电源管理系统。
　　在开关电源中，该MOSFET模块可作为主开关器件，负责高效的能量转换，减少功率损耗，提高整体效率。在DC-DC转换器中，其快速开关能力和低导通电阻有助于实现高频率操作和紧凑的电路设计。在电机驱动器中，该器件能够承受较大的电流冲击，提供稳定的输出性能。
　　由于其良好的热性能和可靠性，IXTT3N200P3HV也适用于恶劣环境下的工业控制系统，如自动化生产线、机器人控制系统和电力调节设备。在可再生能源领域，该模块可作为太阳能逆变器中的关键开关元件，确保高效的能量转换和稳定的系统运行。此外，在电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中，该器件能够支持高电压电池组的高效管理，提升整体能源利用率。

IXTP3N200P3HV, IXTP3N200P3ST, IXTH3N200P3HV