时间：2025/12/25 12:28:15
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RQ5H025TNTL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式硅技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于多种电源管理和功率转换场景。其小型化封装设计使其非常适合空间受限的应用，如便携式电子设备和高密度电路板布局。RQ5H025TNTL在工作时表现出良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内持续运行，满足工业级和消费级产品的严苛要求。此外，该MOSFET具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层结构，增强了器件在恶劣环境下的耐用性。通过优化的工艺参数和材料选择，RQ5H025TNTL实现了低功耗与高性能的平衡，是现代高效能电源系统中的理想选择之一。
型号：RQ5H025TNTL
类型：N沟道MOSFET
封装形式：DFN(5x6)
最大漏源电压(VDSS)：20V
最大连续漏极电流(ID)：13A
最大脉冲漏极电流(IDP)：40A
最大栅源电压(VGSS)：±12V
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：7.8mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：10.5mΩ
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：960pF @ VDS=10V
输出电容(Coss)：240pF @ VDS=10V
反向传输电容(Crss)：35pF @ VDS=10V
最大功耗(PD)：4.2W @ TA=25°C
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
RQ5H025TNTL采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V时典型值仅为7.8mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。该特性特别适用于电池供电设备或对能效有严格要求的应用场景，例如移动电源、笔记本电脑电源管理模块以及DC-DC转换器等。低RDS(on)还意味着在相同电流条件下产生的热量更少，从而减少了散热设计的复杂度，并有助于提升系统的长期可靠性。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，结合较小的输入电容（Ciss = 960pF），使其能够实现快速的开关响应，适用于高频开关应用。这一优势在同步整流、负载开关和电机驱动电路中尤为突出，可有效降低开关损耗，进一步提升转换效率。同时，较低的反向传输电容（Crss = 35pF）有助于减少米勒效应带来的误触发风险，增强电路稳定性。
RQ5H025TNTL的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性，可在高温环境下可靠运行。其DFN(5x6)封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，可通过PCB背面的散热焊盘将热量迅速导出，提升整体散热效率。此外，该MOSFET具有±12V的栅源电压耐受能力，提供了一定程度的过压保护，增强了在实际应用中的鲁棒性。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，适用于需要续流路径的拓扑结构。
RQ5H025TNTL广泛应用于各类中低压功率开关场合，尤其适合用于高密度、高效率的电源管理系统。典型应用场景包括但不限于：同步降压转换器中的下管开关，用于实现高效的能量转换；在升压或反激式转换器中作为主开关器件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升整体效率；在电池供电系统中作为负载开关或电源路径控制器，用于控制外设供电通断，延长待机时间。
该器件也常用于电机驱动电路中，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为低端或高端开关使用，凭借其低RDS(on)和良好热性能确保长时间运行的稳定性。此外，在热插拔控制器、LED驱动电源、USB PD快充协议中的电源切换模块以及服务器和通信设备的点负载供电中也有广泛应用。由于其DFN封装支持自动化贴片生产，因此非常适合大规模量产的产品线，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端等便携式电子产品。
RJK0252DPB
SiS3410DN
AOZ5250AI
