MDI4N60 时间：2025/6/14 17:45:34 阅读：4

MDI4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
　　MDI4N60的典型特点在于其能够在高电压环境下提供高效的电流切换能力，同时具备快速的开关速度和较低的功耗。此外，由于其优异的热性能和电气性能，这款MOSFET广泛应用于工业控制、消费类电子产品及汽车电子中。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.3A
　　导通电阻：3.5Ω
　　栅极电荷：18nC
　　总电容（Ciss）：2170pF
　　极间电容（Crss）：370pF
　　输出电容（Coss）：95pF
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

MDI4N60的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压（600V），使其能够胜任高压应用场景。
　　2. 低导通电阻（3.5Ω），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　3. 快速开关速度，可以实现高频工作，适合于开关电源和其他高频应用。
　　4. 极佳的雪崩能力，可有效保护器件免受瞬态过压损坏。
　　5. TO-220封装提供良好的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且支持表面贴装工艺。

应用

MDI4N60的应用范围非常广泛，主要包括以下方面：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　4. 电池充电器中的保护和控制元件。
　　5. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
　　6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。