时间：2025/4/30 10:18:03
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IPD90N04S4-04是一款基于沟槽场效应晶体管（Trench MOSFET）技术的N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高频开关应用场合。其封装形式为TO-252（DPAK），能够提供出色的散热性能和电气连接可靠性。
该芯片主要面向工业、消费电子以及通信领域中的电源管理电路，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：37nC（典型值）
输入电容：2380pF（典型值）
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
IPD90N04S4-04采用先进的制造工艺，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用，同时降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有更高的鲁棒性。
4. 优化的栅极电荷设计，便于驱动且降低驱动功耗。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 良好的热性能表现，支持大电流持续运行。
7. 封装小巧，易于PCB布局和焊接操作。
该功率MOSFET适用于多种高效能电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，在电池供电设备中实现电压调节。
3. 电机驱动电路，用于控制步进电机、直流无刷电机等。
4. 各类负载开关和保护电路，保障系统的稳定性和安全性。
5. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
6. 通信设备电源解决方案，满足高效和紧凑设计需求。
IPW90N04S4-04, IRF9024PBF, FDP18N04L
