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IPD90N04S4-04 发布时间 时间:2025/4/30 10:18:03 查看 阅读:5

IPD90N04S4-04是一款基于沟槽场效应晶体管(Trench MOSFET)技术的N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率、高频开关应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能和电气连接可靠性。
  该芯片主要面向工业、消费电子以及通信领域中的电源管理电路,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻:1.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  输入电容:2380pF(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

IPD90N04S4-04采用先进的制造工艺,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用,同时降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下具有更高的鲁棒性。
  4. 优化的栅极电荷设计,便于驱动且降低驱动功耗。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 良好的热性能表现,支持大电流持续运行。
  7. 封装小巧,易于PCB布局和焊接操作。

应用

该功率MOSFET适用于多种高效能电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,在电池供电设备中实现电压调节。
  3. 电机驱动电路,用于控制步进电机、直流无刷电机等。
  4. 各类负载开关和保护电路,保障系统的稳定性和安全性。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
  6. 通信设备电源解决方案,满足高效和紧凑设计需求。

替代型号

IPW90N04S4-04, IRF9024PBF, FDP18N04L

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IPD90N04S4-04参数

  • 数据列表IPD90N04S4-04
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 35µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 25V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3-313
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD90N04S404ATMA1SP000646186