时间：2025/6/18 20:04:13
阅读：2
IPP076N12N3 G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，适用于高频开关应用和高效能电源转换场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
该型号属于 Infineon 的 IPP 系列功率 MOSFET，广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动以及各种工业电子设备中。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷（典型值）：14nC
总电容（输入电容）：580pF
开关时间：开启延迟时间 19ns，上升时间 9ns，关断延迟时间 16ns，下降时间 7ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IPP076N12N3 G 提供了出色的电气性能，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够减少传导损耗，尤其适合大电流应用。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高效率。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间，便于高密度布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 优化的热性能，确保在高温环境下的可靠运行。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 电机驱动中的桥式电路控制。
5. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动器中的高效开关元件。
IPP075N12N3 G, IPP080N12N3 G
