时间：2025/6/21 0:37:43
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IPP055N03LG是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装形式，适用于高频开关应用和直流电机控制等场景。
该芯片具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在较低的功耗下实现高效的功率转换。其出色的开关性能和热稳定性使其成为工业、消费电子以及汽车应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：49A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1020pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IPP055N03LG是一款专为高效功率转换设计的MOSFET。其主要特性包括超低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗；同时具备较高的栅极阈值电压，增强了抗噪能力，适合于要求严格的工业环境。
此外，该器件的快速开关速度可以降低开关损耗，从而提升整体效率。它还支持高达175℃的工作温度，这使得它在高温条件下依然保持稳定的性能表现。
由于采用了先进的制造工艺，IPP055N03LG在热管理和散热方面表现出色，有助于延长系统的使用寿命并提高可靠性。
IPP055N03LG广泛应用于各类功率转换场合，例如DC-DC转换器、PWM控制器、逆变器和电动工具驱动电路。
此外，它也常见于汽车电子领域，如电动车窗、座椅调节系统和燃油泵控制等应用中。
由于其高电流承载能力和快速开关特性，该器件同样适用于工业自动化设备中的电机驱动和负载切换等功能。
IPP060N03L, IPP050N03L
