时间：2023/8/1 11:11:50
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产品型号 | EP1S10F484C5N |
描述 | 集成电路FPGA 335 I/O 484FBGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) |
制造商 | 英特尔 |
系列 | Stratix? |
打包 | 托盘 |
零件状态 | 过时的 |
电压-电源 | 1.425V?1.575V |
工作温度 | 0°C?85°C(TJ) |
包装/箱 | 484-BBGA，FCBGA |
供应商设备包装 | 484-FBGA(23x23) |
基本零件号 | EP1S10 |
EP1S10F484C5N
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 转入 |
JESD-30代码 | S-PBGA-B484 |
JESD-609代码 | 1号 |
总RAM位 | 920448 |
CLB数量 | 1200.0 |
输入数量 | 426.0 |
逻辑单元数 | 10570.0 |
输出数量 | 426.0 |
端子数 | 484 |
最低工作温度 | 0℃ |
最高工作温度 | 85℃ |
组织 | 1200 CLBS |
峰值回流温度(℃) | 260 |
电源 | 1.5,1.5 / 3.3 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 3.5毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压标称 | 1.5伏 |
最小供电电压 | 1.425伏 |
最大电源电压 | 1.575伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
温度等级 | 商业扩展 |
终端完成 | 锡银铜 |
终端表格 | 球 |
端子间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度最大值(秒) | 40 |
长度 | 23.0毫米 |
宽度 | 23.0毫米 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | BGA |
包装等效代码 | BGA484,22X22,40 |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 网格阵列 |
制造商包装说明 | 23 X 23 MM，1 MM间距，无铅，FBGA-484 |
无铅状态 | 无铅 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
10,570逻辑元素
支持远程配置更新
LVDS的差分片上匹配支持
支持多种单端和差分I / O标准
多达920,448个RAM位可用而不会减少逻辑资源
多达16个全局时钟，每个设备区域具有22个时钟资源
在-5速度级设备中支持133 MHz PCI-X 1.0
在-6和更高速度级别的设备中支持100-MHz PCI-X 1.0
在-7速级设备中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction合作伙伴计划(AMPP)宏功能中的多个知识产权宏功能
TriMatrix存储器由三个RAM块大小组成，可实现真正的双端口存储器和先进先出(FIFO)缓冲区
高速DSP模块提供乘法器(高于300 MHz)，乘法累加功能和有限脉冲响应(FIR)滤波器的专用实现
每个器件多达12个PLL(四个增强型PLL和八个快速PLL)可提供扩频，可编程带宽，时钟切换，实时PLL重配置以及高级乘法和相移
在多达116个通道上支持高速差分I / O，其中多达80个通道针对840 Mbps(Mbps)进行了优化
支持高速网络和通信总线标准，包括RapidIO，UTOPIA IV，CSIX，HyperTransport技术，10G以太网XSBI，SPI-4 2期(POS-PHY 4级)和SFI-4
支持高速外部存储器，包括零总线周转(ZBT)SRAM，四数据速率(QDR和QDRII)SRAM，双数据速率(DDR)SDRAM，DDR快速周期RAM(FCRAM)和单数据速率(SDR)内存
在-6和更高速度等级的设备中支持66-MHz PCI(64和32位)，在-8和更快速度等级的设备中支持33-MHz PCI(64和32位)
