时间：2025/4/29 15:46:33
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NDF03N60Z是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型技术。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等领域，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式通常为TO-220，适合散热要求较高的应用场合。
这款MOSFET的设计目标是提高效率并降低功率损耗，适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3A
导通电阻（Rds(on)）：850mΩ（典型值，10V栅极驱动电压下）
总功耗：10W
结温范围：-55℃至+175℃
栅极阈值电压：2V~4V
开关时间：开通延迟时间50ns，关断下降时间70ns
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达600V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻设计，有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，确保高频工作时的高效运行。
4. 封装形式为TO-220，具有良好的散热性能。
5. 具备较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
6. 良好的热稳定性，允许的工作温度范围宽广，适应各种严苛环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的主开关管。
3. 各类电机驱动电路，包括步进电机和直流无刷电机。
4. 逆变器电路中的开关元件。
5. 过流保护和负载开关控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRF840, STP3NC60, FDP18N60
