类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：45A
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：15.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

IPP045N10N3+G的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的最大漏极电流为45A，最大漏源电压为100V，使其适用于中高功率的应用场景。
　　此外，该MOSFET采用了先进的封装技术（PG-HSOF-8），具有良好的热管理和散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于各种严苛的环境条件。
　　IPP045N10N3+G还具有快速的开关速度，优化的开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。这不仅提高了系统的效率，还减少了外部散热器的需求，从而降低了整体系统成本。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，适合与常见的逻辑电平驱动电路兼容，简化了驱动电路的设计。同时，其最大栅极电压为±20V，提供了良好的过压保护能力。

IPP045N10N3+G广泛应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的电源管理系统。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，IPP045N10N3+G可以作为主功率开关使用，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少热量产生，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，该器件也适用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理系统，如车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，满足对高效率和高可靠性的严格要求。
　　在消费类电子产品中，IPP045N10N3+G可用于高功率的负载开关控制，例如LED照明系统、高功率USB充电端口以及便携式设备的电源管理模块。

IPP045N10N3, IPP049N10N3+G, IPP065N10N3+G