类型：MOSFET（N 沟道）
　　通道数：2
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　漏极电流（ID）：1.6A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(ON)）：380mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8

US2DA-TR 采用了 ROHM 先进的 MOSFET 工艺，确保了其在低导通电阻和高开关性能方面的优异表现。该器件的双通道结构设计使其非常适合用于空间受限的应用，例如便携式电子设备和小型电源模块。每个通道的漏极电流可达 1.6A，适用于中等功率的开关应用。此外，US2DA-TR 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的栅极驱动，兼容多种逻辑电平控制电路，提高了其在不同应用中的灵活性。
　　US2DA-TR 的导通电阻较低，在 4.5V 栅极驱动电压下可达到 380mΩ 的最大值，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较低的输入电容和反向恢复电荷，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。TSSOP 封装具有良好的散热性能，有助于器件在高负载条件下保持稳定运行。

US2DA-TR 主要用于需要双通道 N 沟道 MOSFET 的应用场景，例如便携式电子产品中的电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路、LED 驱动器和低电压电机控制电路等。其高集成度和小尺寸封装使其非常适合用于空间受限的设计。此外，该器件还可用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机、可穿戴设备以及各种嵌入式系统的电源控制电路中。在这些应用中，US2DA-TR 可以提供高效的功率控制，同时减少电路板的占用空间并简化电路布局。

Si3442DV-T1-GE3, NTR4001NT1G, TPC2706-H