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IPL60R125C7 发布时间 时间:2025/4/29 17:52:15 查看 阅读:3

IPL60R125C7 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件属于OptiMOS系列,专为高效率、低损耗的开关应用设计。其额定电压为600V,导通电阻典型值为125mΩ(在特定条件下),能够满足工业和消费类应用中的严格要求。
  这款MOSFET具有出色的开关性能和较低的导通损耗,适用于硬开关和软开关拓扑,如SMPS(开关电源)、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:600V
  最大漏源电流(ID):34A
  导通电阻(RDS(on)):125mΩ @ VGS=10V
  栅极电荷(Qg):85nC
  输入电容(Ciss):2950pF
  反向恢复时间(trr):45ns
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

IPL60R125C7采用先进的TRENCHSTOP?技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,降低开关损耗。
  3. 较小的栅极电荷和输出电荷,提高整体效率。
  4. 短的反向恢复时间,适合高频应用。
  5. 高雪崩能力,增强器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  这些特性使该器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。

应用

IPL60R125C7广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. DC-DC转换器,例如电信电源和服务器电源。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 工业电机驱动和变频器。
  5. 电动汽车(EV)充电站和车载充电器。
  由于其高电压承受能力和良好的热性能,该MOSFET在高压大电流场合表现尤为突出。

替代型号

IPL60R150P7
  IPL60R130C7
  IPW60R125C7
  FF60R12K6

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