时间：2025/7/4 23:50:44
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CST1250F-8R2M是一款高性能的陶瓷电容器，属于CST系列。该型号采用多层陶瓷技术制造，具有低等效串联电阻(ESR)和高等效串联电感(ESL)，适合高频应用环境。
其设计能够有效减少射频干扰，并提供稳定的滤波效果，广泛应用于通信设备、射频电路及电源管理模块中。
容值：1250pF
额定电压：8kV
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：表贴(SMD)
尺寸：2.2mm x 1.1mm
介质材料：C0G(NP0)
耐潮湿等级：Level 1
CST1250F-8R2M具有高稳定性和可靠性，其C0G介质确保了在宽温度范围内电容量几乎无漂移。
该器件支持高频操作，由于其超低ESR特性，在高频条件下依然保持优异的性能表现。
此外，这款电容器具备良好的抗电磁干扰能力，可显著改善射频信号的质量。
它的高击穿电压特点使其适用于高压场合，同时小巧的封装便于现代化电路板布局设计。
此款电容器非常适合用于高频滤波器、谐振电路以及射频前端匹配网络。
它也常被用作开关电源中的旁路电容或去耦电容，以保证系统稳定性。
在无线通信领域，CST1250F-8R2M可用于天线调谐和信号增强部分，提升数据传输效率。
另外，由于其卓越的电气特性和机械强度，还常见于工业控制、医疗电子及汽车电子等行业。
CST1250F-8R2M-K
CST1250F-8R2M-H
KEMET C0G1E1C1250J8K
TDK C3216X7R0J1250K
