IPF039N03LG 时间：2025/6/29 12:42:55 阅读：4

IPF039N03LG 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，由英飞凌 (Infineon) 公司生产。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。
　　其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，这是一种无引脚的表面贴装封装，能够提供良好的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏电流：128A
　　导通电阻（典型值）：0.45mΩ
　　栅极电荷（典型值）：67nC
　　输入电容（典型值）：1780pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装类型：TO-Leadless (TOLL)

特性

IPF039N03LG 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关速度和低栅极电荷，降低开关损耗。
　　4. 采用 TOLL 封装，提供出色的散热性能和牢固的机械连接。
　　5. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
　　这些特性使得 IPF039N03LG 成为高效功率转换和控制的理想选择。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
　　4. 汽车电子设备，例如电池管理系统 (BMS) 和电动助力转向系统 (EPS)。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率控制电路。
　　其卓越的性能和可靠性使其成为现代电子设备中不可或缺的核心组件之一。