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W631GU8NB15I 发布时间 时间:2025/8/20 7:37:19 查看 阅读:23

W631GU8NB15I是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及网络通信设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,提供高容量和高速数据访问能力,适用于需要高效数据处理的现代电子设备。

参数

容量:256Mbit
  组织方式:8M x32
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-pin
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:166MHz
  接口类型:并行
  刷新周期:64ms

特性

W631GU8NB15I具备多项优异特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其高速访问时间和166MHz的数据速率确保了快速的数据处理能力,能够满足对性能要求较高的系统需求。其次,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了其在不同电源环境下的适应性,使其能够灵活应用于各种电子设备中。
  此外,W631GU8NB15I采用低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低能耗,适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在极端环境条件下的稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  该DRAM芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于PCB布局和焊接,同时具有良好的散热性能。其64ms的刷新周期保证了数据存储的稳定性,同时降低了系统管理复杂度。W631GU8NB15I还支持多种省电模式,如待机模式和深度掉电模式,进一步提升能效表现。

应用

W631GU8NB15I广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于工业控制设备、智能家电、网络路由器、视频监控系统、通信模块、手持终端设备以及汽车电子控制系统。由于其高性能、低功耗和宽温工作特性,它特别适合用于对数据处理速度和可靠性要求较高的嵌入式系统和工业自动化设备。

替代型号

W632GU6EB15I、W632GU6FB15I、W631GU6NB15I

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W631GU8NB15I参数

  • 现有数量237现货
  • 价格1 : ¥37.52000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)