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GA1210A562GXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 19:55:01 查看 阅读:6

GA1210A562GXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  该器件属于沟道增强型 MOSFET,适用于各种需要高频开关和高效能转换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器以及负载开关等。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装:TO-263 (D2PAK)
  耐压:60V
  导通电阻:4.5mΩ
  最大电流:78A
  栅极电荷:38nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  漏源击穿电压:60V
  漏源导通电阻(典型值):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
  漏源导通电阻(最大值):5.5mΩ(在 Vgs=10V 时)

特性

GA1210A562GXAAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在过载条件下的可靠性。
  3. 快速开关速度,适合高频应用场合,可有效降低开关损耗。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
  5. 封装形式为 TO-263,便于散热设计且易于集成到现有电路板中。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这款功率 MOSFET 的设计旨在为工程师提供一种兼具高性能与可靠性的解决方案,特别适用于需要紧凑设计和高效运作的应用环境。

应用

GA1210A562GXAAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
  6. 各类消费电子产品的充电模块和保护电路。
  凭借其卓越的性能和灵活性,GA1210A562GXAAT31G 成为众多设计工程师的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AON7719

GA1210A562GXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-