PHP45NQ10T 时间：2025/9/15 4:16:23 阅读：35

PHP45NQ10T 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。PHP45NQ10T 采用先进的沟槽栅技术，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定的性能。该器件封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适用于各种电源管理和电机控制应用。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：45A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220

特性

PHP45NQ10T MOSFET 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的开关能力。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流负载应用。该器件的高耐压特性（VDS=100V）使其适用于多种中高压电源转换和控制电路。
　　此外，PHP45NQ10T 采用先进的沟槽栅结构，优化了载流子分布，提高了导通能力和热稳定性。TO-220 封装具备良好的散热性能，适合长时间高负载运行。该器件还内置了静电放电（ESD）保护结构，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
　　PHP45NQ10T 在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于汽车电子、工业电机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及电池管理系统等高要求场景。其快速开关能力有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，特别适合高频开关应用。

应用

PHP45NQ10T 主要应用于需要高效率、高电流处理能力的功率电子系统中。例如，在电动汽车（EV）充电系统、电动工具、电机驱动器、太阳能逆变器、DC-DC 功率转换器以及工业自动化设备中，该器件都能发挥出色的性能。在汽车电子领域，它可用于车载充电器（OBC）、电机控制器和电池管理系统（BMS），满足高温、高可靠性的需求。此外，该器件也广泛应用于电源管理模块、开关电源（SMPS）和负载开关电路中，作为高效能的功率开关元件。