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IRFR8314TRPBF 发布时间 时间:2025/7/10 12:18:20 查看 阅读:3

IRFR8314TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其出色的电气特性和封装设计使其成为高效率、紧凑型设计的理想选择。
  IRFR8314TRPBF 的主要特点是低导通电阻以及高雪崩击穿能力,确保在恶劣工作条件下依然保持稳定性能。此外,它还具有较低的栅极电荷,从而优化了开关损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFR8314TRPBF 提供了卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻能够显著降低传导损耗,尤其适合需要高效能转换的应用场合。同时,该器件的低栅极电荷有助于提高开关效率并减少能量损失。
  此外,IRFR8314TRPBF 的 TO-252 封装设计紧凑且易于安装,非常适合空间受限的设计环境。器件支持高温操作,最高结温可达 175°C,这使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。
  这款 MOSFET 还具备良好的热稳定性及耐用性,可承受反复的瞬态过载情况。这些特性共同保证了 IRFR8314TRPBF 在汽车电子、工业设备和消费类电子产品中的广泛应用。

应用

IRFR8314TRPBF 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电动工具驱动电路
  4. 电机控制与逆变器
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. 通信系统中的电源解决方案
  由于其高性能特点,该器件特别适合要求高效能和小型化的应用场景。

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IRFR8314TRPBF参数

  • 现有数量755现货
  • 价格1 : ¥13.51000剪切带(CT)2,000 : ¥5.72982卷带(TR)
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)54 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4945 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D-PAK(TO-252AA)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63