时间：2025/5/26 18:57:51
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IPD90N04S4-05是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的制造工艺设计，主要适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于功率转换、电机驱动以及各类电源管理系统中。
其封装形式为TO-263（DPAK），具备出色的散热性能和可靠性，适合在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：36nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
IPD90N04S4-05具有非常低的导通电阻，这使得它能够在大电流应用中保持较低的功耗和温升。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现更高的开关频率，从而提升整体效率。
其出色的热性能得益于TO-263封装设计，能够有效将热量传导至外部散热器或PCB板上。
同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在异常情况下提供额外的保护功能。
IPD90N04S4-05适用于多种工业及消费类电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的电机驱动
3. 电池管理系统（BMS）
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. LED驱动器和逆变器
由于其大电流处理能力和高效性能，这款MOSFET特别适合需要高功率密度的设计。
IPW90N04S4-05, IXFN90N04T4
