时间：2025/5/21 20:45:03
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SUM60N04-05C-E3 是一款基于硅技术制造的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高电压耐受能力的场景，例如开关电源、电机驱动以及各种工业应用。其封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能和耐用性。
这款器件的主要特点是其高击穿电压和低导通电阻特性，使其非常适合高频开关应用。此外，SUM60N04-05C-E3 具备优异的热稳定性和抗浪涌能力。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A
脉冲漏极电流（Id pulsed）：16A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值，25°C）
总功耗（Ptot）：115W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
SUM60N04-05C-E3 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压（600V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 低导通电阻（1.2Ω），有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 内置防静电保护，增强器件的鲁棒性。
5. 良好的热性能，能够承受较高的结温。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设计需求。
7. 宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适应极端环境条件。
SUM60N04-05C-E3 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 逆变器和电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 工业自动化设备中的高压开关。
4. LED 驱动器和其他照明系统的功率管理。
5. 各类电器中的电磁干扰滤波电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
7. 电感负载切换及续流二极管替代方案。
SUM60N04-05C-E2, IRF840, STP60NF06L
