CGR0118ZTR13 时间：2025/8/15 17:54:26 阅读：10

CGR0118ZTR13 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中。CGR0118ZTR13 采用小型表面贴装封装（如 UCSP 或 TSSOP 类型），使其适合高密度电路设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：1.8 A
　　最大漏源电压 (VDS)：20 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±8 V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 0.18 Ω（在 VGS=4.5V 时）
　　栅极电荷 (Qg)：7.5 nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：UCSP 或 TSSOP（具体封装根据数据手册确认）

特性

CGR0118ZTR13 具有低导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗并提高效率，特别适合用于电池供电设备中的高效电源管理。该器件支持较高的工作温度范围，确保在苛刻环境下的稳定运行。
　　此外，其小型封装设计不仅节省空间，还提高了 PCB 布局的灵活性。CGR0118ZTR13 的栅极驱动电压范围适中，兼容常见的 4.5V 至 8V 栅极驱动器，使其易于集成到各种电路设计中。
　　该 MOSFET 的快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流应用。同时，其内置的静电放电（ESD）保护功能增强了器件的可靠性，减少了外部保护电路的需求。
　　在制造工艺上，CGR0118ZTR13 采用了 Rohm 的先进半导体技术，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和一致性，适用于工业级和消费类电子产品的设计。

应用

CGR0118ZTR13 主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电和管理系统、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）、小型马达驱动器以及需要高效能功率 MOSFET 的低功耗设计。
　　其低导通电阻和小型封装特性也使其成为高密度 PCB 设计的理想选择，特别是在需要节省空间和提高效率的场合。CGR0118ZTR13 适用于需要快速开关和低功耗运行的电子设备，如无线传感器网络、低功耗物联网设备和小型化电源模块。